Transistores

Los transistores BJT o bipolares reciben este nombre porque ...
1. Basan su funcionamiento en dos tipos de portadores de carga: electrones y huecos.
2. Tienen tres uniones PN.
3. Pueden trabajar de dos modos diferentes: como conmutador y como amplificador.
4. Necesitan dos fuentes de alimentación para ser polarizados.
Un transistor bipolar tiene ...
1. Dos zonas de dopado.
2. Dos zonas de deplexión.
3. Tres tipos de portadores de carga.
4. Dos terminales
La zona más fuertemente dopada de un transistor es ...
1. El emisor.
2. La base.
3. El colector.
4. Las tres por igual.
Un transistor sin polarizar es similar a ...
1. Una resistencia variable.
2. Un interruptor cerrado.
3. Dos diodos contrapuestos.
4. Una red RC.
La zona más estrecha de un transistor es ...
1. El emisor.
2. La base.
3. El colector.
4. Todas son iguales.
Las corrientes de un transistor PNP son ...
1. Mucho mayores que las de un NPN.
2. Negativas.
3. De signo contrario a las de un NPN.
4. Mucho menores que las de un NPN.
La ganancia de corriente en continua de un transistor bipolar depende de ...
1. La tolerancia de fabricación.
2. La corriente de colector.
3. La temperatura en la unión.
4. Cualquiera de las anteriores.
Para que un transistor BJT esté polarizado en la zona activa debe tener ...
1. La unión E-B y la unión C-B directamente polarizadas.
2. La unión E-B y la unión C-B inversamente polarizadas.
3. La unión E-B directamente polarizada y la unión C-B inversamente polarizada.
4. La unión E-B inversamente polarizada y la unión C-B directamente polarizada.
En un transistor NPN que trabaja en saturación se verifica que ...
1. Vce= 0V
2. Ic = 0A
3. Vce = Vcc
4. Ic = Ib
Cuando en un transistor aumenta la temperatura ...
1. Tiende a aumentar la Ic.
2. Tiende a disminuir la Ic.
3. Tiende a disminuir la Ib.
4. No pasa nada, el funcionamiento del dispositivo es independiente de cualquier cambio de temperatura.
¿Que montaje básico del transistor tiene una ganancia de corriente próxima a la unidad?
1. Emisor común
2. Base común
3. Colector común
4. Ninguno.
El montaje del BJT conocido como seguidor de emisor se trata del ...
1. Emisor común
2. Base común
3. Colector común
4. Emisor a masa
A medida que aumenta el valor de la resistencia de carga en un transistor en Emisor común se obtiene mayor amplificación de ...
1. Tensión.
2. Corriente.
3. Impedancia.
4. Frecuencia.
El transistor JFET es un dispositivo controlado por ...
1. Tensión.
2. Corriente.
3. Resistencia.
4. Campo magnético.
Los terminales de un JFET se denominan ...
1. Emisor, base y colector.
2. Ánodo, cátodo y puerta.
3. Drenador, puerta y surtidor.
4. Base 1, base 2 y puerta.
El transistor de efecto de campo es del tipo ...
1. Unipolar
2. Bipolar
3. Tripolar
4. Metal-óxido-semiconductor.
Los transistores de efecto de campo de unión ...
1. Están dotados de dos puertas que suelen estar conectadas internamente constituyendo un único terminal exterior.
2. Se conocen abreviadamente como MOSFET debido a su constitución interna,
3. De doble puerta tiene un campo de aplicación mucho más amplio que los de puerta única.
4. No presentan ningún tipo de analogía con respecto a los BJT.
¿Cual de las siguientes ventajas de los FET sobre los BJT es falsa?
1. Su reducido tamaño que los hace idóneos en la fabricación de circuitos integrados.
2. Bajo consumo de corriente y potencia a la entrada.
3. Elevada estabilidad frente a las variaciones de temperatura.
4. Pequeña impedancia de entrada.
El transistor JFET difiere del biplar en que ...
1. Su velocidad de conmutación es alrededor de 10 veces menor.
2. Su impedancia de entrada es mucho menor.
3. Tiene muchas menos ganancia de tensión.
4. Para magnitudes elevadas de tensión la corriente no se mantiene constante y en aplicaciones con altas intensidades no presenta pérdidas.
Estableciendo analogías entre el BJT y el JFET, podemos decir que ...
1. El emisor es similar a la puerta.
2. La base es similar a la fuente.
3. El colector es similar al drenador.
4. Ninguna de las anteriores.
Los transistores MOSFET ...
1. Son FET de Metal-Oxido-Semiconductor.
2. Reciben también el nombre de IGFET.
3. Las dos respuestas anteriores son ciertas.
4. Trabajan con elevadas intensidades de puerta.
¿Cuál de las siguientes caracteristicas de los MOSFET frente a los BJT es falsa?
1. Los MOSFET resultan más simple de excitar al no requerir corrientes de control tan elevadas.
2. Los MOSFET tienen una velocidad de respuesta menor, es decir, son más lentos en conmutación.
3. Los MOSFET tienen un coeficiente de temperatura positivo al ser la conducción por portadores mayoritarios.
4. Los MOSFET disponen de buena capacidad para soportar sobrecargas y alta impedancia de entrada.
El IGBT consiste básicamente en ...
1. Dos transistores MOS imbricados.
2. Un transistor PNP controlado por un MOSFET de canal N, en configuración Darlington.
3. Un tiristor en serie con un BJT.
4. Un tiristor en paralelo con un diodo.
El transistor UJT se conoce también como ...
1. PUT
2. Uniunión.
3. TUN.
4. UNI.
La aplicación más común del UJT es ...
1. Generar señales alternas senoidales de frecuencias variable.
2. Generar impulsos de polaridad constante y frecuencia variable.
3. Generar impulsos de polaridad variable y frecuencia constante.
4. Amplificar señales de ruido.

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